Detalhes do produto
Lugar de origem: TSOP
Marca: Micron Technology
Certificação: ROHS
Número do modelo: MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1
Termos do pagamento & do transporte
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Tray/REEL
Tempo de entrega: 3-15days
Conservado em estoque: 8000
Termos de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000PCS
Fabricante Product Number: |
MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 |
Tipo da memória: |
DDR3 SDRAM |
Tamanho de memória: |
8GB |
Velocidade da memória: |
1600MHz |
Tensão de fonte: |
1,5V |
Tipo de embalagem: |
240-pin DIMM |
Fabricante Product Number: |
MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 |
Tipo da memória: |
DDR3 SDRAM |
Tamanho de memória: |
8GB |
Velocidade da memória: |
1600MHz |
Tensão de fonte: |
1,5V |
Tipo de embalagem: |
240-pin DIMM |
MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 - Memória DDR3 SDRAM de 8 GB
Encontre informações aqui em stock.xlsx
Introdução:
O MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 é um módulo de memória SDRAM DDR3 de 8 GB projetado para uso em uma variedade de aplicações de computação e de memória intensiva.e compatibilidadeO MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 também proporciona uma taxa de transferência de dados de alta velocidade e baixo consumo de energia,que o tornem adequado para utilização em dispositivos móveis e outras aplicações sensíveis à potência.
Aplicações:
Computadores de mesa, portáteis, servidores, estações de trabalho
Atributos do produto:
Marca | Tecnologia Micron |
---|---|
Tipo de memória | DDR3 SDRAM |
Tamanho da Memória | 8GB |
Velocidade de memória | 1600 MHz |
Tensão de alimentação | 1.5V |
Tipo de embalagem | DIMM de 240 pinos |
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Perguntas frequentes:
Q1: Qual é o tipo de memória do MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q2: Qual é a velocidade de memória do MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q3: Qual é a tensão de alimentação do MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q4: Qual é a capacidade de memória do MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q5: Qual é o tipo de pacote do MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1?
Q6: Para que tipo de dispositivos o MT18KBZS1G72PKIZ-1G4E1 é adequado?e estações de trabalho que exijam alto desempenho e fiabilidade para aplicações de alta utilização de memória.